Найден новый материал с прекрасными изолирующими свойствами для создания электроники следующего поколения

Исследователи из университета Барселоны выяснили, что аморфный нитрид бора (a-BN) имеет отличные изолирующие свойства и способен стать новым материалом для создания микрочипов и другой электроники следующего поколения, сообщает портал Тechxplore.com.

На протяжении последних 20 лет полупроводниковая промышленность находится в поисках новых материалов, которые позволят преодолеть существующие ограничения и без особого труда мигрировать на новые техпроцессы – 3, 2 и меньше нм. Радости промышленников не было предела, когда были открыты органические полимерные материалы, но вскоре эйфория ушла, поскольку выяснилось, что новые материалы не обладают достаточным запасом прочности к термическим, химическим и механическим нагрузкам, которым материалы подвергаются в процессе изготовления чипов.

Однако теперь ученые из барселонского вуза заявили, что аморфный нитрид бора (a-BN) обладает необходимыми показателями, чтобы стать изолятором нового поколения для будущих техпроцессов. Он имеет твердость и жесткость больше, чем объемный кремний, также a-BN способен предотвратить миграцию атомов металла из межсоединений в изолятор. Вместе с высоким напряжением пробоя эти характеристики делают аморфный нитрид бора очень привлекательным для практического применения при производстве электроники.

Исследователи уже испытали его при 3-нм техпроцессе и остались довольны результатами, поэтому очень может быть, что уже вскоре многие производители электроники заявят о прорыве в области подготовки к выпуску чипов по новым технормам.