2-нм техпроцесс раньше всех появится у TSMC

Пока Intel, некогда бывшая лидером, пытается перевести массовое производство чипов на «отсталые» 10-м, компании Samsung и TSMC спорят за майку лидера в вопросе освоения 2-нм техпроцесса. Однако теперь, похоже, в споре определился победитель – TSMС.

Инженеры компании TSMС добились прорыва при создании GAAFET-транзисторов, которые должны прийти на смену FinFET. Использующиеся сейчас FinFET-трансзисторы имеют на четыре стороны три канала, что обуславливает высокие уровни токов утечки, тогда как новая технология будет использовать круговой затвор и горизонтальные каналы. Именно GAAFET должны стать основой 2-нм техпроцесса, освоить который тайваньский контрактный производитель намерен уже через 2-3 года.

Впрочем, TSMС будут освоены также 4- и 3-нм техпроцессы, в которых планируется использовать все ту же FinFET-технологию. Новые нормы производства станут заменой для нынешних техпроцессов на 7- и 5-нм, тогда как с использованием 2-нм будет изготавливаться только продукция клиентов, готовых платить за лидерство и инновации.