Micron обогнала в ряде вопросов южнокорейских производителей

Производитель памяти из США обогнал своих конкурентов из Южной Кореи – компании SK и Samsung – сразу по двум направлениям, одним из которых стал выпуск модулей DRAM 4-го поколения по технормам 10 нм и изготовление NAND флеш со 176 слоями.

Еще несколько лет назад казалось, что корейские производители чипов памяти, имеющие на двоих более 70% рынка DRAM и почти половину NAND, обгоняют в плане технологий американскую Micron, находящуюся на пятом месте по уровню продаж, как минимум на пару лет. Однако совсем недавно Micron представила чипы DRAM 4-го поколения, изготовленные по 10-нм техпроцессу, а еще выпустила 176-слойную NAND флеш, тогда как и SK, и Samsung все еще производит только 128-слойную память.

Теперь аналитики говорят о том, что разрыв между производителями будет резко сокращаться, в том числе за счет господдержки США, чье руководство взяло курс на создание собственных производственных цепочек, независимых от иностранных компаний.