Методы измерения температуры в микросхемах с материалами широкой запрещённой зоны

Электронные устройства перегреваются из-за потерь энергии при движении электронов, что снижает их производительность. В современных устройствах используется кремний, но инженеры переходят на материалы с широкой запрещённой зоной (UWBG), такие как Ga2O3, AlGaN и алмаз, для увеличения срока службы и энергоэффективности. Эти материалы выдерживают высокие напряжения и температуры, но их производство и измерение тепловых характеристик сложны.

Жорж Павлидис с коллегами из Коннектикутского университета и ВМС США разработали методы измерения температуры в микросхемах с UWBG, включая оптические, электрические и сканирующие зондовые методы. Их статья в Applied Physics Letters была отмечена как «Выбор редактора» за вклад в термическую метрологию, что поможет улучшить управление температурным режимом и коммерциализацию UWBG-устройств.

Исследования проводятся в рамках программы Microelectronics Commons, которая объединяет академические и коммерческие организации для развития силовой электроники.