Исследователи разработали усовершенствованные полупроводниковые детекторы радиации

Исследователи совершили прорыв в разработке полупроводниковых детекторов радиации, значительно повысив их эффективность в условиях, близких к экстремальным. Эти детекторы, созданные из материалов с широкой и сверхширокой запрещённой зоной, отличаются высокой термостойкостью, радиационной стойкостью и легкостью интеграции.

Одним из ключевых достижений команды стала разработка детекторов большой площади, сочетающих материалы p-NiO и β-Ga₂O₃. Эти детекторы характеризуются низким током утечки и высокой чувствительностью, что делает их особенно полезными в условиях, когда требуется высокая точность измерений.

Кроме того, был создан детектор тепловых нейтронов на основе Ga₂O₃, который демонстрирует почти 1% эффективности обнаружения, что открывает новые горизонты в области радиационного контроля и мониторинга.