Инновационный кремний-германиевый транзистор: новые горизонты в микроэлектронике

Чем меньше становятся электронные компоненты, тем сложнее их производство, что является проблемой для индустрии чипов. Исследователи из Венского технического университета создали кремний-германиевый транзистор с альтернативным подходом, который позволит уменьшить размеры компонентов, повысить их скорость, снизить энергозатраты и работать при экстремально низких температурах, важных для квантовых чипов.

Ключевой момент — оксидный слой с легированием, создающий эффект дальнего поля. Технология разработана Венским техническим университетом, Линцским университетом имени Иоганна Кафки и Фрайбергской горной академией. Результаты опубликованы в журнале IEEE Electron Device Letters.

Предыдущие компоненты были основаны на легированных полупроводниках (кремний, германий) с добавлением чужеродных атомов. Это изменяет электронные свойства материала, влияя на подвижность заряженных частиц и электропроводность. Этот процесс оптимизировался десятилетиями и является основой современной микроэлектроники.